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ダイヤモンド半導体が切り拓く次世代パワーエレクトロニクス — SiC・GaNを超える「究極素材」の開発競争

電気絶縁破壊強度がシリコンの33倍、SiCの80倍以上を誇るダイヤモンドが次世代パワー半導体素材として注目を集めている。日本のスタートアップが世界に先行する開発競争の現状と、EV・宇宙・原子力への実用化シナリオを解説する。